意法半导体推出高效GaN半桥驱动器，助力消费与工业电源及电机控制设计

意法半导体发布两款高压GaN半桥栅极驱动器——STDRIVEG610和STDRIVEG611，为消费类和工业应用提供更高能效、更强鲁棒性和更灵活的设计选择。

STDRIVEG61

专为启动时间要求在300ns的应用设计，适用于LLC或ACF电源转换拓扑，提升适配器、充电器和功率因数校正电路性能。

STDRIVEG611

优化硬开关电机控制，集成高边UVLO欠压保护和过流保护智能关断功能，适用于家电、电泵、压缩机、工业伺服驱动等场景。

两款器件均支持软硬开关拓扑，内置互锁功能防止交叉导通，集成高边自举二极管和高低边线性稳压器，传输延迟小于10ns，驱动性能优异。

此外，片上UVLO保护、过热保护和高达±200V/ns的dV/dt耐量确保安全运行，输入电压范围扩展至3.3V至20V，简化控制器接口设计。紧凑的4mm x 5mm QFN封装进一步节省电路板空间。

Q&A

Q1: STDRIVEG610和STDRIVEG611的主要区别是什么？

A1:STDRIVEG610适用于电源转换应用，强调启动时间；STDRIVEG611优化电机控制，增加安全保护功能。

Q2: 这两款驱动器支持哪些应用场景？

A2:STDRIVEG610适用于适配器、充电器和PFC电路；STDRIVEG611适用于家电、电泵、压缩机和工业伺服驱动等。

Q3: 是否有配套评估板可供使用？

A3:是的，EVLSTDRIVEG610Q和EVLSTDRIVEG611评估板现已上市，集成600V高速半桥驱动器和GaN功率开关管，助力快速开发。

两款产品的配套评估板EVLSTDRIVEG610Q和EVLSTDRIVEG611现已上市，可帮助设计人员加快应用开发。两款评估板均可直接使用，集成了 600V 高速半桥栅极驱动器和意法半导体的两颗 SGT120R65AL 增强型 GaN HEMT功率开关管。

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