2025 OktoberTech™精彩回顾一: CoolSiC™碳化硅新品发布, 性能指标领跑全行业
- 科技创新
- 2025-06-19
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近日,英飞凌在上海举办的2025 OktoberTech大中华区生态创新峰会在上海顺利落下帷幕。本次活动中,英飞凌推出多款CoolSiC碳化硅重磅新产品,凭借卓越的性能指标和创新封装设计,继续全面领跑半导体行业,为电力电子系统的高效、可靠运行提供了强有力的支持。
CoolSiC MOSFET G2 1200V:
业内最低开关损耗
TO – 247以及QDPAK封装的1200V CoolSiC MOSFET G2系列,开关损耗达到了业内最低水平。同时,门级瞬态电压范围扩大至 - 10 ~ 25V,使得器件能够更好地应对复杂多变的电路环境。200°C的短时过载结温以及2微秒的短路能力,进一步增强了器件在恶劣工况下的耐受能力,确保了设备在极端条件下的安全运行。

CoolSiC MOSFET G2 1400V:
适应更高母线电压
1400V CoolSiC MOSFET G2系列的TO - 247以及TO - 247 Plus Reflow封装,面对高母线电压应用进行了优化设计,能够轻松适应母线电压大于1000V的场景,该系列产品的功率管脚加粗至2mm,使得器件能够承受更大的电流,背板回流焊的设计,提升了产品的可靠性,为高压电力电子系统提供了可靠的解决方案。
CoolSiC Diode G5 1200V & 2000V:
业内最大电流
CoolSiC Diode G5 1200V以及2000V系列产品,实现了业内最大电流输出。其中,1200V产品可提供高达150A的电流,2000V产品则能达到80A的电流输出能力,更好地满足了高功率应用场景对大电流的需求。.XT扩散焊创新技术不仅简化了拓扑结构,还显著提高了功率密度,为设备的小型化和轻量化设计提供了可能。
CoolSiC MOSFET G2 Easy 1200V
碳化硅模块:全新封装,业内首发
业内首发的1200V CoolSiC MOSFET G2 Easy模块采用全新封装实现更低的功率损耗,同时,具备更高的工作虚拟结温,支持更长的系统寿命要求,为设备在恶劣环境下的长期稳定运行提供了有力保障。
CoolSiC XHP 2 2.3kV/3.3kV
碳化硅模块:全球首款
CoolSiC XHP 2 2.3kV和3.3kV碳化硅模块作为全球首款高电压碳化硅模块产品,集成体二极管,采用XHP 2创新封装和.XT银烧结技术,实现了10倍的功率密度提升、10倍的可靠性能加强,以及10倍的节能降耗显著效果,为高压、大功率应用场景提供了更高效、更可靠的解决方案,将推动轨道交通、可再生能源等领域的发展迈向新的高度。
CIPOS Maxi 1200V
碳化硅智能功率模块:全球首款
CIPOS Maxi 1200V全碳化硅高性能车规智能功率模块作为全球首款车规级同类产品,集成车规级1200V CoolSiC MOSFET G2和1200V C5SOI驱动IC,功率输出高达12kW以上。同时,该模块通过AQG324 / AEC-Q认证,可靠性获权威认可,为汽车电力电子系统提供更高效、更可靠的解决方案。